技术编号：3441890
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及适用于电子器件中的材料。更具体地，本发明涉及制备低介特性材料的组合物或包含所述材料的薄膜，它们具有改善的弹性模量和较低介电常数。背景技术在微电子工业中，提高多层集成电路器件如存储器和逻辑片中的电路密度以改善运行速度并降低功率消耗存在着持续的要求。为了继续减小集成电路上的器件尺寸，使用具有低介电常数的绝缘体以降低互连金属化的阻容(“RC”)时间延迟并防止在不同层金属化之间的电容性串扰已经变得有必要。这样的低介材料对于金属前(premetal)介...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。