技术编号:3442804
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体材料的制备和应用,特别是涉及。背景技术 介孔二氧化硅是近年来纳米材料科学领域引人注目的研究对象。介孔二氧化硅中的孔是互相连通并与周围环境接触,其孔的数量可高达1019个/g,比表面积一般在1000m2/g左右,高的甚至达到1200m2/g,所以表面效应十分显著。由于MCM-41介孔二氧化硅具有六角对称、均匀孔径分布的三维孔道结构,且由于其具有巨大的比表面积和均匀的孔尺寸,使其在催化和分离科学有重要的应用,如色谱、催化剂载体、分子的选择性吸收...
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