技术编号:3442962
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种位于现场(on site)氟气产生装置和使用氟气的半导体处理装置之间的氟气的供给系统,即,氟气的当场(in-situ)气体混合及稀释系统。背景技术目前,在半导体处理工序的清洗、蚀刻工艺,电子材料气体(例如,碳氟化合物、六氟化硫气体、三氟化氮等氟化物气体)体现出高性能,因此一直在较大范围内大量使用上述气体,但是这些氟化物气体的温室效应系数较大而对地球环境造成不良影响,因此,决定今后废止或者限制上述气体的使用。氟气的温室效应系数是零,因而开始研究...
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