技术编号：34444392
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及到了半导体器件技术领域，特别涉及到一种栅极驱动电路及方法。背景技术.氮化镓(gan)电力电子器件与传统的硅(si)电力电子器件相比，具备更高切换频率、高效能、高功率、耐高压、耐高温以及抗辐射能力强等优越特性，因此能快速渗入g、射频以及快充等场景。.由于氮化镓本身是耗尽型(d-mode)器件，因此在使用时需要用负偏压导通，在g以及射频应用领域中并无明显问题，原因是这些场景中原本使用的砷化镓(gaas)与磷化铟(inp)等第二代半导体也是耗尽型器件，在设计功率放大器(power...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。