技术编号:34444586
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开是关于一种相变化记忆体的装置、结构和其制造方法。背景技术.相变化随机存取记忆体(phase-change random-access memory,pcm或pcram)是非挥发性随机存取计算机记忆体的一种型态。相变化随机存取记忆体技术是基于在正常环境温度下可以是非晶态或结晶态的材料。在材料处于非晶态的条件下,材料具有高电阻。非晶态可以称为高电阻态(high resistance state,hrs)。在材料处于结晶态的条件下,材料具有低电阻。结晶态可以称为低电阻态(low resis...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。