技术编号：34449408
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及集成电路领域，更具体地，涉及一种过压关断的充电电路。背景技术.目前，集成电路中经常采用金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet)的开关结构实现充电电路的设计。由场效应管实现的充电电路，其充电压降小，功耗小，实现简单方便且安全，因此得到了广泛的应用。.一般来说，场效应管在作为充电开关的过程中，具有双向充电的特性。也就是说，当场效应管的栅源极电压差、栅漏极电压差都大于该管的阈值电压时，mos管...
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