技术编号:3445307
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种多晶娃(silicon)制造装置以及多晶娃制造方法。背景技术作为成为半导体用单晶硅的原料的高纯度多晶硅的代表性制造法,可列举西门子法(Siemens Method)。以西门子法制造的多晶娃的纯度极高,但反应速度慢,制造成本中的单位电力使用量(electrical power consumption rate)所占的比例大,而且由于制造设备的运转为批次式运转,因此,制品价格昂贵,上述西门子法并不适合作为需要廉价的销售价格的太阳电池用多晶硅的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。