技术编号:3445324
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本文公开内容涉及同位素富集的含硼化合物、组合物,及其制备和使用方法。背景技术离子注入(ion implantation)用于集成电路制造中以将受控量的掺杂剂杂质精确地引入半导体晶片中,并且其是微电子/半导体制造中的关键步骤。在这样的注入系统中,离子源电离所需掺杂剂源气体(dopant sourcegas)的掺杂元素(dopant element)。所述离子源通过将电子引入充满掺杂剂源气体(通常也被称为“原料气(feedstock gas)”)的真空室来生成...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。