技术编号：3445341
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术以往，作为碳化硅单晶的制造方法，公知有在2000°C以上的高温条件下使作为原料的碳化硅粉体升华，在碳化硅晶种上生长单晶的升华再结晶法(改良莱利(Lely)法)(非专利文献I)。另外，众所周知，在升华再结晶法中使用了含杂质多的碳化硅粉体的情况下，由于在单晶中混入杂质，广生的晶体缺陷多。作为碳化硅粉体的制造方法，公知有艾奇逊(Acheson)法、化学气相生长法。但是，用艾奇逊法所获得的碳化硅粉体存在杂质的问题，而用化学气相生长法可以获得高纯...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。