技术编号:3445461
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体储氢材料及其制备方法。背景技术当前,能源和环境问题是世界范围内面临的两大难题,煤、石油、天然气等传统能源面临日益减少的枯竭之势,而同时使用这些能源带来的环境问题也日趋严重。因此开发无污染、可再生能源势在必行。氢能作为唯一无污染可再生的能源,无疑是继石油、煤和天然气等非再生能源以后新一代被广泛采用的能源。阻碍氢能的大规模使用的关键问题是氢能的储存和运输。目前,液氢储存的成本高、安全性较差,金属氢化物储氢时得到的储氢量有限,储氢质量密度太低...
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