技术编号:3445709
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于薄膜材料的制备工艺,尤其涉及一种在硅基片上得到择优取向氯化铵薄膜的制备方法。背景技术近年来薄膜技术不断发展,各种功能薄膜材料的制备成为研究的热点。制备这些薄膜材料时通常都需要有支持薄膜生长的基片,例如玻璃片和硅片等,然而这些基片一般都不具有可溶性,在其上生长的薄膜不易取下来,不便于再进行其他研究或应用。本发明的目的为在硅片制得择优取向生长的、可溶性的氯化铵薄膜,而后以附有氯化铵薄膜的硅片作为制备其他薄膜材料的基片时,既可以使薄膜择优取向生长,又可...
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