技术编号:3445754
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米材料,尤其涉及。背景技术垂直于衬底的阵列硅纳米线在电子器件中有着广泛的应用,如场效应晶体管、 LED、热电模块、锂电池负极等。尽管垂直的硅纳米线可以实现良好的可控生长,不管是自上而下的腐蚀方法,还是自下而上的外延生长方法。这些方法得到的硅纳米线都是以单晶硅片作为衬底,然而硅衬底往往限制了硅线阵列的应用。为了有效的扩大纳米硅线的应用范围,通常采用两种方法一种方法是把衬底硅片厚度减小到一定程度再进行外延生长,但是这种方法成本很高;另一种方法是将硅...
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