技术编号：3446419
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及ー种多晶硅还原炉，属于多晶硅生产。背景技术在“改良西门子法”多晶娃生产技术中,气态氯娃烧在多晶还原炉中和氢气还原为多晶硅，氯硅烷和氢气按照一定的配比，从还原炉底部的炉盘上的进气喷嘴进入炉筒内，混合气体在装夹在电极对上的硅芯上高温进行还原后，未反应的尾气又从炉盘中央的尾气出ロ排出，进入下ーエ序。还原反应是吸热反应,需要大量的热量来维持,但是由于还原炉的炉筒内壁温度超过200°C后，就会沉积硅油，严重影响炉壁对热量的反射，而且还原炉筒材质是不耐高温的...
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