技术编号：3446468
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种低温制备氮化硅(Si3N4)粉体的方法，属于无机非金属粉体材料制备方法。背景技术氮化硅具有良好的力学性能、高的化学稳定性、较低的密度以及良好的高温性能，抗热冲击，抗蠕变，广泛应用于高接触应力条件下的滑动、滚动轴承及磨球，高温、化学腐蚀条件下工作的结构陶瓷，高效研磨材料，冶金领域的耐火材料等。目前，制备Si3N4粉体材料的方法包括硅的高温氮化、二氧化硅在氨气或氮气中进行碳热还原、CS2与氨气反应、气相反应、有机物高温热分解、高温自蔓延合成、溶剂...
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