技术编号:3446493
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单斜相Ga2S3晶体作为红外波段二阶非线性光学材料的应用及其制备方法,属于材料科学领域和光学领域。背景技术目前非线性晶体材料由于激光技术的应用越来越引起大家的重视,尤其是深紫外和中远红外波段的二阶非线性晶体材料由于种类较少,还无法满足应用的需求,而成为各国科学家研究的热点。硫属化合物体系正在成为中远红外二阶非线性晶体研究的方向,其中诸如AgGaS2 (AGS)、AgGaSe2 (AGSe)、BaGa4S7 (BGS)等已获得产业化和商品化。这些硫...
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