技术编号:3446654
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种SiC纳米线的制备方法,尤其是涉及一种。背景技术一维半导体纳米材料由于其重要的物理和化学性质,已经引起了人们广泛的关注。SiC纳米线作为第三代宽禁带半导体材料,具有高硬度、高热导率、高击穿电场、高电子迁移速率和强抗氧化性等特点,在纳米光电子器件、纳米场发射器件、纳米复合材料、超疏水器件、新型能源材料和催化方面有着广泛的应用前景。因此,研究探索高效制备SiC纳米线的方法,大规模高产量制备SiC纳米线,对于实现SiC纳米线的工业化生产有着重要的意...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。