技术编号:3447116
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及可以形成介电特性、粘着性、涂膜均匀性、机械强度优异,吸湿性减低的多孔膜的膜形成用组合物,多孔膜的形成方法及形成的多孔膜,以及内部含有多孔膜的半导体装置。背景技术 在制作半导体集成电路时,随电路被更紧密地装配,作为金属互连间的寄生电容的互连间电容增加,引起互连延迟时间增加,从而阻碍了半导体电路性能的增强。互连延迟时间称为RC延迟,其与金属互连电阻与互连间的静态电容的积成比例。为减小该互连延迟时间,需要减小金属互连的电阻或减少互连间电容。通过减小互连...
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