技术编号:3447654
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及碲化铋纳米晶的制法。具体地说,是用微波辅助的多羟基法制备Bi2Te3纳米晶。背景技术 V-VI族(尤其是V2VI3型)硫属化合物是一类重要的半导体材料,被广泛地应用于热电器件、电子和光电子器件、红外探测等领域。这类物质中,Bi-Te基材料,尤其是Bi2Te3,是目前已知的在室温区性能最好的热电材料[参见(a)A.Boyer,E.Cisse,Mater.Sci.Engine.B,1992,113,103.(b)F.J.DiSalvo,Science...
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