技术编号:3450797
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高纯硅烷的制备工艺,特别是涉及一种与改良西门子法联产,经过高纯三氯氢硅多步歧化制备高纯硅烷,适合国内多晶硅企业采用的工艺。背景技术娃烧,英文名称silane,分子式为SiH4。娃烧作为一种重要的娃源材料,广泛应用于半导体微电子1C、光伏太阳能电池PV、液晶显示器IXD等产业。目前,硅烷的生产方式主要有三种氟化铝钠法、硅镁合金法和氯硅烷歧化法。其中氟化铝钠法以氢化铝钠和四氟化硅为原料,反应合成硅烷气体,经过后续吸附、精馏分离纯化精制后得到6N以...
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