技术编号：3450814
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米材料，具体涉及。背景技术ZnO是一种宽禁带的半导体材料，其禁带宽度为3.37 eV，室温下的激子束缚能高达60meV，具有优良的热稳定性及良好光电特性。近年来，各种形貌的ZnO纳米结构被相继的制备出来，如纳米线、纳米柱、纳米带、纳米管等，这些ZnO纳米材料以其独特的光电性能迅速引起了学术界和工业界的广泛关注，使其在光电子器件。尤其是在染料敏化太阳电池(DSSC)中具有潜在的应用价值。作为染料敏化太阳电池光阳极材料，一维的ZnO纳米线或纳米棒已...
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