技术编号:3451012
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。,涉及碳热还原法制备氮化铝粉体工艺的方法。背景技术 AlN(氮化铝)是III-V族半导体化合物,其晶体是以[AlN4]四面体为结构单位,具有Warzjte结构的共价键化合物。25℃时晶格常数α0=3.1127,c0=4.9816,属六方晶系,粉体真密度为3.255g/cm3。AlN材料具有热导率高(是的Al2O3的8~10倍)、高温电绝缘性好、介电性能好、热膨胀系数低(4.4×10-6℃),与单晶硅相近,比Al2O3、BeO都低,耐热冲击电阻高、高温下材料...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。