技术编号:3451017
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。气态氢化物在制造微电子组件的化学气相沉积(CVD)方法中广泛地用作前驱体。由气态氢化物前驱体形成的薄膜的生长和质量在很大程度上依赖于前驱体化合物的纯度,因此,要求在前驱体中杂质的浓度极低。对于很多超高纯度的前驱体,要求将诸如氧气、二氧化碳和水之类的杂质去除至十亿分之几(ppb)的浓度范围。低成本地除去杂质,使其达到这些ppb级别是非常困难的。超高纯度的氨气和有关的氢化物气体,如胂和磷化氢,在CVD方法中是重要的前驱体。例如,氨气用作前驱体来形成作为中间的介...
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