技术编号:3451167
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料,涉及,特别是一种气流、温度微小扰动热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法背景技术热裂解碳化娃制备外延石墨烯的方法最早是由乔治亚理工学院(GeorgiaInstitute of Technology)的Walter de Heer教授所领导的研究小组所提出的,其原理是在超高真空环境下采用感应加热的装置将石墨感应加热舟加热到1400°C,使位于石墨舟内的碳化硅衬底表面的Si原子升华,而碳化硅表面富集的C原子则发生重构而形成六方蜂窝状结构的石墨烯。此方...
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