技术编号:3451449
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及,特别是利用电弧炉/氩弧炉做金属硅精纯处理的金属硅原料提纯制备方法。 背景技术 国际上金属硅原料制备的主流技术是利用电弧炉/氩弧炉进行高温熔炼,石英(SIO2)与碳在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业(金属)硅,其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑。金属硅是太阳能电池多晶硅的主要原材料,金属硅的提纯精度直接影响到太阳能多晶硅的提纯效率、成本及效果。如Si(s)+3HCl(g)=SiHCI3(g)+H2(g)(放热)生成的SiHCI3与PC...
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