技术编号：3454801
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是一种在化学气相沉积炉内快速沉积生长多晶硅的方法和装置。所述方法和装置是在化学气相沉积反应炉内，采用成组的硅芯（1）或硅板和横梁（2）连接形成片（板）状的倒U型装置，这种大表面积的装置既作为含硅气体沉积生产多晶硅的初始基体，又作为电发热体，使反应炉启动后可以迅速进入大电流、大混合气体流量和大固气接触面的状态，从而应炉内多晶硅快速沉积生长。专利说明一种多晶硅快速沉积的方法和装置 [0001] 一种多晶硅快速沉积的方法和装置涉及在化学气相沉积反应炉...
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