技术编号:3455220
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开一种,包括以下步骤通过热阻蒸发将芳香烃的小分子蒸镀到二氧化硅的硅片上形成前驱物层,所述香烃的小分子为9,10-二(2-萘基)蒽、并五苯?中的一种;再通过电子束蒸发将铜蒸镀到前驱物层与硅片相背的表面上从而形成铜层;将样品放入到管式炉中,通入200sccm的氩气,保持压力为10mtorr,升温退火15分钟,在铜层的催化作用下且在600~1000℃高温退火,将形成前驱物层转变为石墨烯层;将经过步骤四的退火后的硅片放入刻蚀溶液中浸泡10分钟,去除作为催化...
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