技术编号:34554681
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域,具体涉及一种金属电容结构。背景技术.随着半导体技术的不断发展,大型集成电路得到广泛的应用。组成集成电路的元器件可以是无源的或者是有源的,当元器件为无源器件时成为集成无源器件(integrated passive device,ipd),ipd提供高精度电容及高性能电感等无源器件的集成,目前在射频上的应用成为新热点。.集成无源器件中的电容,例如金属-绝缘层-金属(mim)电容和金属-氧化物-金属(mom)电容,由于其性能优越,越来越多的应用于集成电路中。电容属于非...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。