技术编号:3455745
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,适合锶、铈、钯等元素掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备。本方法采用阳极氧化法制备纳米棒阵列模板,采用溶胶凝胶法在模板上形成掺杂钴酸镧纳米棒,并采用晶种的方式将纳米棒与电极基板接触。该方法可以完好的保留纳米棒的形貌,并能在室温下对一氧化碳有较好的响应。采用该方法制备的室温一氧化碳传感器结构简单,性能优异。专利说明 [0001]本发明属于气敏传感器制备领域,具体涉及,本发明可以快速、高质量的制备掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器。 背景技术...
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