技术编号:3456176
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是一种,其步骤如下对已选择的将作为晶种的碳化硅进行如下处理破碎处理筛分处理,选取粒径达到3~8毫米的碳化硅采用酸洗方法进行提纯处理,然后用纯水进行冲洗;以石墨电极为中心,在0~10cm内放置6H碳化硅晶种0.1%~5%,在10cm~25cm范围内放置6H碳化硅晶种0.3%~8%,在25cm~40cm范围内放置4H碳化硅晶种1%~10%。本发明方法设计合理,可操作性强。通过在碳化硅冶炼中添加晶种有效地提高碳化硅生长效率,有效地控制碳化硅晶型,降低能耗。...
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