技术编号:3456244
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,涉及碳化硅半导体材料领域。碳化硅粉纯度高,达到99.999%;采用一次合成方法,工艺流程少,生产设备简单,操作易行,容易实现规模化生产;该方法如果原料硅粉采用掺杂铝的单晶硅或太阳能多晶硅,不但有利于对废弃的单晶硅或太阳能多晶硅的回收利用,防止对环境造成污染;而且得到的碳化硅粉为铝掺杂碳化硅粉,可以作为生产无色透明碳化硅晶体或p型掺杂碳化硅晶体的原料。专利说明 [0001] 本发明涉及碳化硅半导体材料领域,尤其涉及一种高纯、铝掺杂碳化硅粉...
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