技术编号:3458320
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。背景技术在单壁碳纳米管(single-walled carbon nanotubes SWNTs)中,在其合成过程中不可避免地混杂有金属性物质(m-SWNTs)与半导体性物质(s-SWNTs),但从合成步骤直接得到纯粹的m-SWNTs或s-SWNTs的方法尚未被提出来。因此,寻求一种从混杂有m-SWNTs与s-SWNTs的所合成的混合物中选择性得到具有基于m-SWNTs或s-SWNTs的特定性质的碳纳米管的方法。以往,报道有通过化学修饰碳纳...
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