技术编号:3462945
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体材料制备技术,特别是。背景技术 VIII-V族化合物半导体制备方法一般在固相中,通过熔融态单质在高温下反应得到。近年来发展起来的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)和分子束外延(MBE)在化合物半导体的薄膜及超晶格的制备中取得广泛应用,但是这些方法一般都需500~600℃高温,而且由于反应温度高,反应前驱物活性大,往往需要绝对无水无氧操作,使得制备过程相当复杂。为了取得更低制备温度,以及更好的控制晶粒形貌与大小,寻求低温液相制备VIII...
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