技术编号:3463024
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种含碳的MgB2超导材料及其制备方法。背景技术 MgB2是2001年发现的新型超导材料,具有较高的转变温度、较大的相干长度、较高的上临界场、晶界不存在弱连接、结构简单、成本低廉等特点。这些应用上的优点使MgB2成为应用在20K-30K温度范围的材料最有力的竞争者。然而,目前制备的MgB2材料的临界电流密度与低温超导体和A15超导体相比还比较低。临界电流密度是决定一种超导材料能否大规模应用的关键特性,薄膜或块状MgB2超导体在零场下具有较高的临界...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。