技术编号:3464876
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于制造多晶硅的碳电极和使用该碳电极的多晶硅棒的制造装置。背景技术作为制造半导体制造用的单晶硅或太阳能电池制造用的以硅为原料的多晶硅的方法,已知有西门子法。西门子法是通过使含有氯硅烷的原料气与加热的硅芯线接触,利用CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)法在该娃芯线的表面使多晶娃气相生长的方法。 通过西门子法气相生长多晶硅时,在气相生长装置的反应炉内将硅芯线组装成垂直方向2根、水平方向I根的牌坊形(torii g...
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