技术编号：3464996
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子制造及SiA胶体制备，特别涉及一种均勻度高的二氧化硅溶胶的制备方法。背景技术在电子制造领域，随着集成电路集成度的不断提高，特征线宽不断缩小，已进入纳米时代。在线宽不断减小的同时，为增大芯片产量，降低单元制造成本，要求硅片的直径不断增大。目前世界硅单晶的主流直径逐步从200mm转变到300mm，对硅抛光片表面质量要求越来越严格。目前，化学机械抛光(CMP)技术是能够实现局部和全局平坦化的主要方法。CMP抛光液一般是由抛光磨粒、化学试剂及水组成，...
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