技术编号:3465166
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及复合硝酸盐的制备方法,具体是一种无水铪锆复合硝酸盐的合成方法,以及使用该复合硝酸盐在ALD沉积高介电复合氧化物薄膜中的应用。背景技术在硅基半导体集成电路中金属一氧化物一半导体场效应管(MOSFET)是构成记忆元件、微处理器及逻辑电路的基本单元,它的体积直接关系到超大规模集成电路的集成度。随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,传统的SiO2栅极电介质材料无法克服MOSFET器件特征尺寸缩小所带来的量子隧穿效应的影响。作为进一步提高微电子器件集成度的途径...
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