技术编号:3465440
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。发明背景技术 领域本发明涉及,更特别涉及一种具有均一的颗粒形状和粒度分布、能够在低温下生产且碱金属如Na和K的含量低于20ppm的。背景技术 在现在的应用,对纳米技术,包括纳米颗粒、纳米结构和纳米装置的兴趣正在增长,特别是在半导体工业中,对于与超级集成电路有关的更细的线宽的导线和多重线路的需求正与日俱增。化学-机械平面化(CMP)技术是一种完全消除多重电路线路间隙中的差异的重要的高水平平面化技术。在化学-机械平面化中,化学处理的表面通过浆液和衬垫的机械运动...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。