技术编号：3465499
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种绝热、绝缘装置，特别是一种多晶硅生产过程中氢化炉中使用的绝热、绝缘装置。背景技术在SiHCl3合成工序和氢还原制取多晶硅的工序中，会产生大量的副产物SiCl4, 如果不能有效的进行回收利用，不仅造成巨大的资源浪费，增加生产成本，而且会造成严重的环境污染和灾难性后果。目前，最好的办法就是将SiCl4经氢化后转化为三氯氢硅，这样操作不仅处理了副产物SiCl4，还重新得到了生产多晶硅的原料SiHCl3,目前国内多晶硅企业大多采用热氢化法进行SiCI...
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