技术编号：3465602
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种生产高纯碳化硅和氟化氢的方法，更具体地说是一种以四氟化硅 与碳氢化合物、碳氟化合物为原料生产氟化氢和高纯碳化硅以及单晶碳化硅薄膜基板的方 法。背景技术碳化硅(SiC)是继第一代半导体材料硅和第二代半导体材料砷化镓(GaAs)后发 展起来的第三代半导体材料。由于SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子 饱和浓度、低热膨胀系数、抗辐射能力强等特点，使得它在高温、高频、大功率光电器件方面 具有优越的应用价值，并可逐步取代现有的硅和砷化镓...
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