技术编号:3466067
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种可作为薄膜光伏电池光吸收层的I2-II-IV-VI4族半导体纳米晶的制备工艺。具体的说,是一种Cu2CdSnS4或CuJeSn、纳米晶的水热制备工艺方法。背景技术随着全球经济的快速发展,煤炭、石油、天然气等不可再生资源日益减少,寻找蕴藏丰富、不会枯竭,安全、干净新能源成为当前人类面临的迫切问题。占地球总能量99%以上的太阳能,具有取之不尽,用之不竭,没有污染的特点,因而成为各国科学家竞相开发和利用的新能源之一。目前研究和应用最广泛的太阳能电池...
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