技术编号:3466141
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于三元化合物半导体材料制备领域,特别涉及一种磷硅镉多晶体的制备方法及所使用的容器。背景技术磷硅镉(CdSiP2)晶体是一种性能优异的新型红外非线性光学材料,在红外对抗、 激光雷达、激光通讯和国防科技等领域有广泛的应用前景。合成CdSiP2多晶体在密闭的石英坩埚内进行,由于合成过程中磷蒸气压高(550°C 时约20atm)和CdSiP2多晶在熔点温度的离解压高(约22atm),极易引起石英坩埚爆炸,使合成非常困难。目前合成CdSiP2多晶体的方法主要...
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