技术编号:34662574
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于半导体制造技术领域,尤其是涉及一种柔性砷化镓太阳电池粘接临时衬底及分离电池的方法。背景技术.目前砷化镓太阳电池可以采用正向外延生长(umm)和反向外延生长(imm)方式制备,其中umm结构的电池主要结构包括:上电极-减反射膜-外延层-锗基底-下电极,其中外延层起到主要的发电作用,锗基底起到主要支撑作用;imm结构的电池主要包括上电极-减反射膜-外延层-下电极,下电极起到主要支撑作用。柔性砷化镓太阳电池通常采用imm结构制成。.imm结构外延制备时,首先在gaas基底制备顶电池,...
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