技术编号:3466483
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种碲化锗纳米线阵列的方法,具体涉及,属于电子功能材料与器件领域。背景技术相变存储器(PCM)主要是利用某些材料在特定的电流脉冲之下会具有快速且可逆的相变化效应,进而导致材料在某些特性上的稳定改变來达到存储效果,此外其最终的状态并不会随着外加能量的消失而改变,因此具有非挥发性的特点。PCM技术凭借其在读取速度、可靠度、非破坏性读取、非挥发性、尺寸微小化以及成本方面的优势,已被公认为最有潜力取代传统的DRAM技术及Flash闪存技术成为主流的存储器...
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