技术编号：34664889
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种边缘刻蚀方法及设备。背景技术.在硅片制造领域中，重掺杂成分的外延片需求量在不断增加。重掺杂硅片在外延生长工艺阶段会出现自掺杂现象影响其产品品质，为降低自掺杂程度，在前段硅片制造工艺中引入背封处理工序，背封处理工序的引入可有效减少自掺杂对外延产品的品质影响。.在背封处理工序中，主要分为两个过程：lto(背封)和edge etching(边缘刻蚀)。lto过程主要采用cvd(化学气相沉积法)，即在高温状态下，通过化学反应在硅片背面长一层薄膜(如sio...
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