技术编号:3466944
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。背景技术多晶硅原料是制备硅太阳能电池、制造集成电路衬底的主要原料,是发展信息产业和新能源产业的重要基石。近年来,国家提倡发展新能源,特别是可再生新能源的开发及利用,太阳能作为可再生能源且无污染的能源,使得太阳能行业发展迅速,导致太阳能电池用多晶娃的紧缺。将IN 2N的工业级多晶娃提纯为6N 7N的太阳能级多晶娃,现有的方法有化学方法和物理方法。化学方法有西门子法、改良西门子法和硅烷法等。西门子法是将Si和HCl反应生成SiHCl3,将SiH...
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