技术编号:3467655
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体纳米晶领域,具体涉及。背景技术过渡金属硫化物因在半导体、发光装置及超导等方面具有潜在的应用价值而受到科研工作者的极大兴趣。CuS是很重要的ρ型半导体,带隙能为2. OeV。由于其具有优异的传导性、电学和光学性质,被广泛地应用在热电偶、滤光器、太阳能电池、传感器和催化等领域。迄今为止,已成功合成多种形貌的硫化铜,例如纳米盘状,空心球状和管状等特定形貌。目前制备硫化铜的方法主要有热解法[Yu-Biao Chen, Ling Chen, andL...
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