技术编号：3467888
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，属于一维纳米氧化物材料的制备技术 领域。背景技术氧化钨是一种n型半导体，属于典型的过渡金属氧化物。作为一种功能材料， 近年来，人们发现钨基氧化物除作为催化、电致变色、蓄电池电极、太阳能吸收材料和 隐形材料之外，还具有热敏、压敏和气敏等半导体功能材料的性质，氧化钩纳米晶膜在气敏 传感器、光催化、光电导等方面的应用和研究正越来越多的引起人们的高度重视，尤其是在 氧化物半导体气敏传感器应用领域，氧化钨基材料已被认为是检测NOx、 S0X、 NH3、 ...
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