技术编号:3468138
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体分离,特别是涉及一种分离单晶硅埚底料中石英的工艺。背景技术 单晶硅埚底料是在用石英坩埚拉制单晶硅时残留在坩埚底部的硅料,这部分硅料约占坩埚中全部硅料的15%,由于单晶硅是生产多晶硅的原料,它具有很高的使用和经济价值,因而分离单晶硅埚底料中石英,使单晶硅埚底料得到有效的利用,一直是人们关注的问题。在现有技术中,将石英与硅分离的方法主要由机械方法和化学方法;采用机械方法分离埚底料与石英时,其切割分离难度和工作量都很大,而且在分离后的硅料表面仍然...
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