技术编号:3468361
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,尤其是涉及一种可消除二硅化钨薄膜剥离的退火方法。背景技术二硅化钨(WSi2)因其具有高熔点、较好的稳定性,及低电阻率的特点,在CMOS 制程上的应用已愈来愈普遍,主要用于提升金属铝和硅之间的欧姆接触及用来和多晶硅 (Polysilicon) 一起作为gate的导体材料,以降低gate的电阻率。现在较普遍用LPCVD法先淀积形成二硅化钨,其χ值约在2. 6 2. 8左右,此时的电阻率还较高,约为700 900 μ Ω ·_,须再经过一次退火(...
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