技术编号:3469557
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及金属硅的精制方法和采用了该精制方法的硅块的制造方法。背景技术在各种中, 一直在应用由蒸镀法制作的硅薄膜。在制作这样 的硅薄膜时,通过电阻加热、感应加热、或电子射线加热来加热硅。电子 射线加热可局部加热位于蒸发源中的硅的表面。因此,电子射线加热与需 要将位于蒸发源中的硅整体加热的电阻加热或感应加热等其它方法相比, 能够高效率地提高蒸发速度。可是在电子射线加热时,电子射线碰撞的表面的较窄的区域被局部地 急速加热。但是有时在蒸发源的硅中含有水分、有...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。